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研究成就與看點(diǎn)：本研究提出了一種創(chuàng)新的共沸物溶劑策略，用于大面積打印自組裝單分子層（SAM）作為有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSC）的空穴選擇層。通過(guò)使用IPA和甲苯的共沸混合溶劑，成功制備了高質(zhì)量、均勻且穩(wěn)定的Cbz-2Ph SAM，并有效地改善了ITO基板的功函數(shù)?；诠卜形锾幚淼腟AM，采用全打印p-i-n堆棧結(jié)構(gòu)制備的OSC器件，小面積（0.04 cm2）效率達(dá)到了18.89%，大面積（1.008 cm2）效率達(dá)到了17.76%，創(chuàng)造了目前1 cm2全打印OSC的高效率紀(jì)錄。共沸物處理的SAM器件還
有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSC）以低成本、輕量化和柔性等優(yōu)勢(shì)吸引廣泛關(guān)注，但其效率和穩(wěn)定性受限于活性層形貌對(duì)加工溶劑的敏感性。傳統(tǒng)鹵代溶劑加工雖性能優(yōu)異，卻因環(huán)境危害難以商業(yè)化。本研究設(shè)計(jì)新型受體材料 BTP-TO2，透過(guò)結(jié)合 OEG 側(cè)鏈，實(shí)現(xiàn)鹵代與非鹵代溶劑間穩(wěn)定形貌并達(dá)到約 19% 的高效率，為 OSC 的高效、穩(wěn)定與環(huán)?；峁┬侣窂?。 1. 研究成就與看點(diǎn):本研究開發(fā)了一種新型受體材料BTP-TO2，該材料在各種溶劑中處理后，都能形成相似的活性層形貌，并始終保持在19%左右的高功率轉(zhuǎn)換效率 (P
一、研究成就與亮點(diǎn)此研究實(shí)現(xiàn)了具有 1.01 eV 帶隙的窄帶隙 Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) 太陽(yáng)能電池，經(jīng)認(rèn)證的功率轉(zhuǎn)換效率 (PCE) 達(dá)到 20.26%，創(chuàng)下同類電池效率的新紀(jì)錄該電池展現(xiàn)了 368 mV 的低開路電壓損耗 (Voc,def)，并在四端迭層結(jié)構(gòu)中貢獻(xiàn)了 10% 的絕對(duì)效率，同樣創(chuàng)下新高。這些成就主要?dú)w功于研究中提出的三階段奈米級(jí)控制策略：通過(guò)在吸收層生長(zhǎng)最后階段添加鎵 (Ga)，在 p-n 結(jié)區(qū)域內(nèi)形成 Ga 前梯度，有效抑制 Ga 和銦 (In) 的相互擴(kuò)散
有機(jī)太陽(yáng)能電池 (OPV) 作為新一代可再生能源技術(shù)的明日之星，具備重量輕、能級(jí)和吸收可調(diào)等優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)，多組分策略在優(yōu)化 OPV 光電性能方面展現(xiàn)出巨大潛力。然而，在已優(yōu)化的二元共混物中添加額外組分，通常會(huì)對(duì)其形貌產(chǎn)生負(fù)面影響，進(jìn)而降低器件性能。為了解決這個(gè)問(wèn)題，本研究提出了一種雙添加劑策略，通過(guò)液體添加劑 1,8-二碘辛烷 (DIO) 和固體添加劑 1,4-二碘苯 (DIB) 的協(xié)同作用，精細(xì)調(diào)節(jié)多組分體系中復(fù)雜的形貌。這項(xiàng)策略的關(guān)鍵在于利用 DIO 和 DIB 對(duì)受體和施主固化動(dòng)力學(xué)的不同
一、研究成就與亮點(diǎn)本研究旨在提高基于二聚體受體（DMAs）的有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSCs）的性能，設(shè)計(jì)并合成了兩種新型的DMAs，分別為DC9-HD和DYSe-3。DC9-HD和DYSe-3擁有幾乎相同的共軛骨架，這使得它們?cè)诨旌蠒r(shí)具有良好的兼容性，并促進(jìn)了高效的電荷生成。將DYSe-3引入到PM6的二元混合物中，最終實(shí)現(xiàn)了19.4%的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE），這是迄今為止單結(jié)二聚體受體基OSCs的最佳性能。研究顯示，這種三元混合物的開路電壓（Voc）為0.898 V，短路電流密度（Jsc）為27
研究成就與亮點(diǎn)復(fù)旦大學(xué)梁佳研究團(tuán)隊(duì)在Nature Communications期刊發(fā)表題為“Metal chalcogenide electron extraction layers for nip-type tin-based perovskite solar cells”的研究論文，成功地以金屬硫?qū)倩?Sn(S0.92Se0.08)2 作為電子傳輸層（ETL），應(yīng)用于 n-i-p 型錫基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，顯著提高了器件性能。與傳統(tǒng)氧化物 ETL 相比，Sn(S0.92Se0.08)2 ET
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